| 字段 | 字段内容 |
|---|---|
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| 001 | 012022549676 |
| 005 | 20220420104002.0 |
| 010 | $a: 978-7-111-63407-2$d: CNY59.00 |
| 092 | $b: jg1944bk-00020 |
| 100 | $a: 20191115d2019 em y0chiy50 ea |
| 101 | $a: chi |
| 102 | $a: CN$b: 110000 |
| 106 | $a: r |
| 200 | $a: IGBT疲劳失效机理及其健康状态监测$f: 肖飞 ... [等] 编著 |
| 210 | $a: 北京$c: 机械工业出版社$d: 2019-11-01 |
| 215 | $a: 232页$d: 24cm |
| 304 | $a: 题名页题其余责任者：刘宾礼，罗毅飞，黄永乐 |
| 320 | $a: 有书目 |
| 330 | $a: 本书通过详细分析IGBT芯片与封装疲劳失效机理，在研究失效特征量随疲劳老化时间变化规律的基础之上，通过将理论分析与解析描述相结合，建立了IGBT相关电气特征量的健康状态监测方法，对处于不同寿命阶段的IGBT器件健康状态进行有效评估。 |
| 333 | $a: 可作为从事电力电子技术理论与工程的技术人员的参考书，也可作为电力电子与电力传动专业的本科生、硕士和博士研究生，以及从事电力电子器件方面研究的师生与研究人员的参考书 |
| 606 | $a: 绝缘栅场效应晶体管 |
| 690 | $a: TN386.2 |
| 701 | $a: 肖飞 |
| 801 | $a: CN$b: 北京百万庄图书大厦$c: 11 21 2019 12:00AM |
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