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010 $a: 978-7-04-038480-2$d: CNY55.00
100 $a: 20140121d2013 em y0chiy0121 ea
101 $a: chi
102 $a: CN$b: 110000
105 $a: ak a 001yy
106 $a: r
200 $a: 电子技术基础$A: dian zi ji shu ji chu$i: 模拟部分$f: 主编康华$g: 华中科技大学电子技术课程组编光
205 $a: 第6版
210 $a: 北京$c: 高等教育出版社$d: 2013
215 $a: 576页$c: 图$d: 26cm
300 $a: “十二五”普通高等教育本科国家级规划教材 面向21世纪课程教材
320 $a: 有书目 (第556页) 和索引
330 $a: 本书为“十二五”普通高等教育本科国家级规划教材, 上一版为普通高等教育“十五”国家级规划教材, 第四版为面向21世纪课程教材, 荣获2002年全国普通高等学校优秀教材一等奖。为适应MOSFETs器件在电子产品中已占统治地位这一发展形势, 新版教材大力加强了MOSFET的相关内容。全书共12章, 分别是: 绪论, 运算放大器, 二极管及其基本电路, 场效应三极管及放大电路、双极结型三极管 (BJT) 及放大电路、频率响应、模拟集成电路, 反馈放大电路, 功率放大电路, 信号处理和信号产生电路, 直流稳压电源, 电子电路的计算机辅助分析和设计。附录中给出了PSPICE/SPICE软件简介、电路理论简明复习、电阻的彩色编码和标称阻值。
517 $a: 模拟部分$A: mo ni bu fen
606 $a: 模拟电路$A: mo ni dian lu
690 $a: TN01$v: 5
701 $a: 康华光,$A: kang hua guang ,$f: 1925-$4: 主编
712 $0: 2$a: 华中科技大学电子技术课程组$A: hua zhong ke ji da xue dian zi ji shu ke cheng zu$4: 编
801 $a: CN$b: FZULIB$c: 20140620
905 $d: TN01$r: CNY55.00

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